新科学想法 › 文献管理 › 浏览文献

Electrical defects in AlGaN and InAlN

swh_1989 添加于 2012-6-16 09:53 | 1144 次阅读 | 0 个评论

作者
Johnstone D, Leach JH, Kovalskii VA, Fan Q, Xie J, Morkoç H
详细资料
- 文献种类:期刊
- 期刊名称: Proceedings of SPIE
- 期卷页: 2009年第7216卷 72162页

管理选项： 导出文献

评论(0 人)

求全文推荐收藏

1 人收藏

swh_1989

该用户的其他文献

· Monte Carlo simulation of hot-phonon and degeneracy effects in the AlGaN/GaN two-dimensional electron gas channel
· The Monte Carlo method for semiconductor device simulation
· Anomalous ion channeling in AlInN/GaN bilayers: Determination of the strain state
· k⋅ p method for strained wurtzite semiconductors
· Hot-phonon temperature and lifetime in a biased Al_ $$x$$ Ga_ $$1-x$$ N/GaN channel estimated from noise analysis

Copyright; © 新科学想法 2016-2017

浙公网安备 33010202000686号 ( 浙ICP备09035230号-1 )