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有附件Buffer optimization for crack-free GaN epitaxial layers grown on Si (1 1 1) substrate by MOCVD

swh_1989 添加于 2012-7-22 20:54 | 1300 次阅读 | 0 个评论
  •  作 者

    Arslan E, Ozturk MK, Teke A, Ozcelik S, Ozbay E
  •  详细资料

    • 文献种类:期刊
    • 期刊名称: Journal of Physics D: Applied Physics
    • 期卷页: 2008  41 155317
    • 出版社: IOP Publishing
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