Buffer optimization for crack-free GaN epitaxial layers grown on Si (1 1 1) substrate by MOCVD
swh_1989 添加于 2012-7-22 20:54
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作 者
Arslan E, Ozturk MK, Teke A, Ozcelik S, Ozbay E -
详细资料
- 文献种类:期刊
- 期刊名称: Journal of Physics D: Applied Physics
- 期卷页: 2008年 第41卷 155317页
- 出版社: IOP Publishing
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