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有附件Electrical defects in AlGaN and InAlN

swh_1989 添加于 2012-6-16 09:53 | 1143 次阅读 | 0 个评论
  •  作 者

    Johnstone D, Leach JH, Kovalskii VA, Fan Q, Xie J, Morkoç H
  •  详细资料

    • 文献种类: Journal Article
    • 期刊名称: Proceedings of SPIE
    • 期卷页: 2009  7216 72162
  • 学科领域 信息系统 » 电子通信

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