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Buffer optimization for crack-free GaN epitaxial layers grown on Si (1 1 1) substrate by MOCVD

swh_1989 添加于 2012-7-22 20:54 | 1298 次阅读 | 0 个评论

作者
Arslan E, Ozturk MK, Teke A, Ozcelik S, Ozbay E
详细资料
- 文献种类: Journal Article
- 期刊名称: Journal of Physics D: Applied Physics
- 期卷页: 2008年第41卷 155317页
- 出版社: IOP Publishing
学科领域信息系统 » 电子通信
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